إشابة

الإشابة أوالتطعيم في الإلكترونيات هي عملية مصنعية تتم لتحويل نبيطة شبه الموصل من كونها شبه موصل داخلي لتصبح شبه موصل خارجي ، عن طريق إضافة كمية قليلة من مادة غنية بالإلكترونات أوإضافة مادة ناسيرة الإلكترونات وتسمى تلك الأخيرة فجوة إلكترونية . تتحرك الكهرباء في النبيطة (مثل الترانزيستور ) بتحرك الإلكترونات (سالبة الشحنة) وتحرك الفجوات (موجبة الشحنة ).

تستخدم زرنيخيد غاليوم ثلاثي النقي كحامل للإشابة، فهوشبه موصل. عند إضافة كمية قليلة من مادة مانحة تحتويخمسة إلكترونات مثل الأنتيمون أوالفوسفور أوالزرنيخ أوغيرها من من عناصر المجموعة الخامسة بالجدول الدوري إلى السيليكون النقي تصبح بلوراته مشوبة حينها بلورة شبه موصل سالب أما إذا أضيف للبلورة النقية مادة متقبلة من عناصر المجموعة الثالثة تحتوي ذراتها على ثلاثة الكترونات فعندها ستشكل الالكترونات الثلاث رابطة تساهمية مع الكترونات الذرات المجاورة وتبقى الرابطة الرابعة غير مكتملة مما يؤدي إلى تكون فجوة إلكترونية وتسمى البلورة من هذا النوع بلورة شبه موصل موجب

بعض الأنواع

نوع III-V-GaAs وهوزرنيخيد غاليوم ثلاثي نقي يشوب بقليل من الكربون فيكون فجوات إلكترونية (موجب الشحنات ) ، أما إذا طعم ب تلوريوم فيصبح غنيا بالإلكترونات وبالتالي يحتوي على شحنات سالبة .

مادة شبه موصلة تستخدم كثيرا في الإلكترونيات هي أكسيد السيليكون النقي حيث يمكن إشابة ه بالبورون أوب الفسفور. وينتج منه زجاج بورفوسفات سيليكات BPSG الذي تنخفض درجة انصهاره نحو700 درجة مئوية عن نقطة انصهار أكسيد السيليكون. لهذا يستخدم في صناعة الويفر .

إشابة السيليكون

1) إشابة السيليكون لينتج النوع N من شبه موصل.

إشابة السيليكون : ينتج نوع N

أضفنا ذرة فوسفور تمد السيليكون بإلكترون حر (أحمر).

2) إشابة السيليكون لينتج النوع P من شبه موصل .

إشابة السيليكون : لينتج النوع P

هنا أضيفت ذرة بورون إلى السيليكون النقي فكونت فيه فجوة إلكترونية.

هجريب ترانزيستور

مبتر في مقحل ثنائي الأقطاب ، نوع NPN

يتكون الترانزيستور في العادة من ثلاثة طبقات من نوع NPN أوPNP .

الشكل المبين يوضح هجريب ما يسمى مقحل ثنائي الأقطاب

انظر أيضاً

مقحل ثنائي الأقطاب
حامل شحنة
طيف كهرومغناطيسي
ليزر
استقطاب الفوتون.
فونون.
حامل قوة.

مراجع

^ ترجمة Doping في بنك باسم للمصطلحات التقنية^{[وصلة مكسورة]}نسخة محفوظة 30 ديسمبر 2017 على مسقط واي باك مشين.

إشابة في المشاريع الشقيقة

صور وملفات صوتية من كومنز

تاريخ النشر: 2020-06-01 20:19:45
التصنيفات: إلكترونيات, تصنيع أجهزة أشباه الموصلات, كهروديناميكا كمية, مفاهيم فيزيائية, جميع المقالات ذات الوصلات الخارجية المكسورة, مقالات ذات وصلات خارجية مكسورة منذ يوليو 2018, قالب أرشيف الإنترنت بوصلات واي باك, بوابة كيمياء فيزيائية/مقالات متعلقة, بوابة الفيزياء/مقالات متعلقة, بوابة الكيمياء/مقالات متعلقة, بوابة إلكترونيات/مقالات متعلقة, بوابة كهرباء/مقالات متعلقة, جميع المقالات التي تستخدم شريط بوابات